Freescale תשבור את מחסום ה-90 ננו-מטר
Freescale Semiconductor (לשעבר מוטורולה סמיקונדקטורס) הודיעה, כי שבב חדש שנמצא כרגע בפיתוח בחברה מפותח בטכנולוגיה ייצור של 65 ננו-מטר בלבד - שיא בפיתוח וייצור שבבי סיליקון. השבב המיועד עבור טלפונים סלולרים מהדור השלישי (3G) ייצא לשוק עד אמצע שנת 2005.
כיום Freescale היא בין מיצרנית השבבים המובילות בעולם, בייצור שבבי סיליקון בטכנולוגיית 90 ננו-מטר. עתה, מתכננת החברה לשבור את מחסום 90 הננו-מטר ולהגיע ל-65 ננו-מטר, בתהליך יצור מיוחד, שמפותח וייושם על ידי ברית "Crolles2" - הסכם שיתוף פעולה בינה החברות Philips, ST Microelectronics.
"Freescale היא בפירוש המובילה מבין שלוש החברות, בייצור והוצאת שבבים ואבות-טיפוס", אמר ישראל קשת, נשיא ומנכ"ל Freescale ישראל. "כבר יצרנו אבטיפוס של שבב ליישומי תקשורת, מבוסס על טכנולוגיית CMOS90, והשבב יצא מעולה כבר בנסיון הייצור הראשון שלו. שבבים מהסידרה הזאת יוטמעו בטלפונים סלולרים כבר ברבעון הראשון של שנת 2005".
