Freescale תשבור את מחסום ה-90 ננו-מטר
שבב חדש שנמצא כרגע בפיתוחה בטכנולוגיה ייצור של 65 ננו-מטר בלבד יקבע שיא בתחום עובי פרוסות הסיליקון לשבבי מחשב. מדובר בפרי שת"פ עם פיליפס ו-ST
Freescale Semiconductor (לשעבר מוטורולה סמיקונדקטורס) הודיעה, כי שבב חדש שנמצא כרגע בפיתוח בחברה מפותח בטכנולוגיה ייצור של 65 ננו-מטר בלבד - שיא בפיתוח וייצור שבבי סיליקון. השבב המיועד עבור טלפונים סלולרים מהדור השלישי (3G) ייצא לשוק עד אמצע שנת 2005.
כיום Freescale היא בין מיצרנית השבבים המובילות בעולם, בייצור שבבי סיליקון בטכנולוגיית 90 ננו-מטר. עתה, מתכננת החברה לשבור את מחסום 90 הננו-מטר ולהגיע ל-65 ננו-מטר, בתהליך יצור מיוחד, שמפותח וייושם על ידי ברית "Crolles2" - הסכם שיתוף פעולה בינה החברות Philips, ST Microelectronics.
